5G 通讯推升需求，GaAs 射频元件 2020 年新一波成长动能显现

根据 TrendForce 旗下拓墣产业研究院报告指出，由于现行射频前端元件製造商依手机通讯元件的功能需求，逐渐以 GaAs 晶圆做为元件的製造材料，加上随着 5G 布建逐步展开，射频元件使用量较 4G 时代倍增，预料将带动 GaAs 射频元件市场于 2020 年起进入新一波成长期。

拓墣产业研究院指出，由于射频前端元件特性，包含耐高电压、耐高温与高频使用等，在 4G 与 5G 时代有高度需求，传统如 HBT 和 CMOS 的 Si 元件已无法满足，厂商便逐渐将目光转移至 GaAs 化合物半导体。而 GaAs 化合物半导体凭藉本身电子迁移率较 Si 元件快速，且具有抗干扰、低杂讯与耐高电压等特性，因此特别适合应用于无线通讯中的高频传输领域。

由于 4G 时代的手机通讯频率使用範围已进展至 1.8~2.7GHz，对传统 3G 的 Si 射频前端元件已不敷使用，加上 5G 通讯市场正步入高速成长期，其使用频段也将更广泛（包含 3~5GHz、20~30GHz）， 因此无论是 4G 或 5G 通讯应用， 现行射频元件都将逐渐被 GaAs 取代。

若以目前市场发展来看，受到 2018 年下半年受到手机销量下滑、中美贸易战影响，冲击 GaAs 通讯元件 IDM 厂营收表现，预估 2019 年 IDM 厂总营收将下滑至 58.35 亿美元，年减 8.9%。然而，随着 5G 通讯持续发展，射频前端元件使用数量将明显提升，如功率放大器（PA）使用量，由 3G 时代的 2 颗、4G 的 5~7 颗，提升至 5G 时代的 16 颗，将带动 2020 年整体营收成长，预估 GaAs 射频前端元件总营收将达 64.92 亿美元，年增 11.3%。

整体而言，随着各国持续投入布建 5G 基地台等基础设施，预估在 2021、2022 年将达到高峰，加上射频前端元件使用数量较 4G 时代翻倍，将可望带动 IDM 大厂 Skyworks（思佳讯）、Qorvo（科沃）新一波营收成长动能，而台厂射频代工製造业稳懋、宏捷科及环宇等，也将随着 IDM 厂扩产而取得订单，逐渐摆脱营收衰退的阴霾。

（首图来源：shutterstock）